Des difficultés de fabrication de Samsung pour ses processeurs en 3 nm ?

Samsung Electronics éprouverait des complications avec son nouveau processus de fabrication. Cela pourrait engendrer des retards de ses processeurs de prochaine génération. Ce procédé offrirait cependant une augmentation notoire de performance et réduirait la consommation d’énergie.

Le GAA : une gravure en 3 nm

Samsung penserait à lancer un nouveau procédé de fabrication de puces, le « Gate-All-Around process », ou GAA. Conçu par Samsung Electronics, ce dernier ne donnerait pas les résultats escomptés. Avec le processus GAA, le rapport pointe en effet un état de rendement faible sur les chipsets. Ce manque de performance pourrait engendrer une insuffisance de processeurs. Une pénurie à laquelle le monde faisait déjà face depuis des années.

La division mobile pour smartphones de Samsung se trouve bien distincte de la division de fabrication électronique, Samsung Electronics. Cette dernière possède des contrats avec des entreprises à l’instar de Qualcomm ou Exynos, sa propre gamme de SoC. Samsung Electronics se basera également sur le nouveau processus GAA 3 nm pour la prochaine génération de Snapdragon. Cela pourrait se réaliser si Samsung Electronics arrivait à augmenter le taux de rendement du GAA.

TSMC toujours en procédé finFET

Les chipsets actuels se fabriquent selon le procédé finFET. Cela consiste à utiliser des portes électroniques sur trois des quatre côtés à l’intérieur du SoC. Le processus GAA optimise cette méthode et entoure ainsi les quatre côtés des portes. Cette technique permet la multiplication de la densité de la puce par 1,35. Cela engendre une hausse de performance de 35 %. Le chipset pourra ainsi tourner avec moins de 50 % d’énergie comparée au procédé finFET.

Les processeurs deviennent ainsi plus véloces et offrent une autonomie accrue de la batterie. Les gratins des smartphones sous Android tournent principalement avec des SoC Qualcomm ou Snapdragon. Ce retard s’apparente à une relégation d’Exynos au second plan par le chipset prochaine génération de Qualcomm en 3 nm. Le manufacturier américain nommera logiquement ce processeur Snapdragon 8 Gen 2 et succèdera le Snapdragon 8 Gen 1.

Nous constations déjà la perte de Samsung Electronics du marché de Qualcomm pour certains SoC, dus aux taux bas. Samsung devrait résoudre ce problème à temps et perfectionner au plus vite son processeur en 3 nm. L’histoire risque fort de se répéter pour la transition vers la prochaine génération de processeurs. Le fabricant de Snapdragon pourrait bien se tourner vers d’autres usines comme TSMC pour ses prochaines commandes de chipsets.

Conclusion

Le talon d’Achille de TSMC réside dans son choix de toujours utiliser finFET pour son processus 3 nm. Samsung Electronics, avec son procédé GAA, pourrait bien se montrer plus rapide en 2023. La firme coréenne devrait tout de même résoudre son problème de taux de rendement jusque-là.

Laissez un avis post

Laisser un commentaire